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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
37
Por volta de -23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
10.6
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
30
Velocidade de leitura, GB/s
14.7
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
10.6
13.0
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2438
3014
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
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