RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Comparar
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
37
Por volta de -37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.3
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
27
Velocidade de leitura, GB/s
14.7
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
10.6
15.8
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2438
3899
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link