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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Comparar
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
10.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
37
Velocidade de leitura, GB/s
14.7
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
10.6
10.4
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2438
2179
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
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