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SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Comparar
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
52
Por volta de 12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.6
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
52
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.1
7.3
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2571
2306
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
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