RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Comparar
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
67
Por volta de 46% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11% maior largura de banda
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
15
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
67
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
8.2
Largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2657
2042
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link