RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Comparar
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
71
Por volta de 49% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
15
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
71
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
6.8
Largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2657
1767
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5584-009.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link