RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Comparar
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
10.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
9.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
36
Por volta de -13% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
32
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
10.8
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
9.9
Largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2657
2618
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link