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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Comparar
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
39
Por volta de 8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
14.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
10.1
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
39
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
10.8
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2657
2159
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
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