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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
55
Por volta de 27% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
14.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
11.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
55
Velocidade de leitura, GB/s
14.8
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
11.2
13.8
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2709
2701
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB Comparações de RAM
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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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