RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Comparar
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
48
Por volta de -71% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
7.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.0
13.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1955
3437
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99P5474-013.A00LF 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273DH0-YH9 4GB
Kingston ACR256X64D3S13C9G 2GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link