RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Comparar
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
48
73
Por volta de 34% menor latência
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
7.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
73
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.0
7.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1955
1724
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston KNWMX1-ETB 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9P1 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link