RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Comparar
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
51
Por volta de -55% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.6
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
33
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
15.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2182
3510
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link