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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Razões a considerar
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
41
Por volta de -37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
30
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
12.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1438
3142
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB Comparações de RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
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