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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
41
Por volta de -64% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.3
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.3
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
25
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
16.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1438
3849
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
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