RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Comparar
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
41
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
40
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
11.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1438
2362
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link