RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Comparar
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
41
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
38
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
11.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1438
2174
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link