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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
41
Por volta de -37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
30
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
10.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1438
2846
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
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