RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Comparar
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
41
Por volta de -37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
30
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
8.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1438
2716
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link