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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
43
Por volta de -43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
10.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
30
Velocidade de leitura, GB/s
10.7
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
11.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1314
3119
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
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