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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
43
Por volta de -72% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
10.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
25
Velocidade de leitura, GB/s
10.7
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
8.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1314
2542
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
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