RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Comparar
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
60
Por volta de 28% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
10.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
60
Velocidade de leitura, GB/s
10.7
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
11.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1314
2359
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link