RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Comparar
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
38
Por volta de -23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
6.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
31
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
6.6
14.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1406
3509
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link