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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
38
Por volta de -46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
6.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
26
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
6.6
16.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1406
3756
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Comparações de RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
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