RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Comparar
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
47
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
6.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
47
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
6.6
11.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1406
2875
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link