RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Comparar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
43
Por volta de -30% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
33
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1706
3026
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparações de RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link