RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Comparar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
43
Por volta de -34% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1706
2974
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparações de RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link