RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Comparar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
43
Por volta de -39% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
31
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
15.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1706
3614
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparações de RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB Comparações de RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99P5471-004.A01LF 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link