RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Comparar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
43
Por volta de -87% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
23
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1706
2675
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparações de RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
AMD R934G2401U1S 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link