RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Comparar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
43
Por volta de -2% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.3
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
42
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
13.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
9.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1706
2427
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparações de RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link