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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Comparar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.3
9.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
43
Por volta de -30% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
33
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
9.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
8.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1706
2286
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparações de RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
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