RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Comparar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
58
Por volta de 26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.3
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
58
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
9.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
7.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1706
2172
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparações de RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link