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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Comparar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
43
Por volta de -87% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
23
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
11.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1706
3147
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparações de RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
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