RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Comparar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
43
Por volta de -139% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.2
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
18
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
20.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
16.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1706
3536
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparações de RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link