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SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
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SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
49
Por volta de -32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.4
8.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
5.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
37
Velocidade de leitura, GB/s
8.2
10.4
Velocidade de escrita, GB/s
5.2
7.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1223
2213
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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