RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Comparar
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
46
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
32
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
13.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1854
3322
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link