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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
48
Por volta de 4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.6
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Por volta de 1.21% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
46
48
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
8.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
5.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1854
1420
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
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