RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Comparar
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
46
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
32
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
12.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1854
2641
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link