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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Pontuação geral
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Razões a considerar
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
42
Por volta de -35% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
31
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
12.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2152
3409
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Comparações de RAM
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EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB Comparações de RAM
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
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