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SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Comparar
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
57
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
12.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
57
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
10.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2088
2377
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
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