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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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Razões a considerar
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
41
Por volta de -78% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
9.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
13.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2290
3171
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
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Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
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