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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
27
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
24
Velocidade de leitura, GB/s
14.8
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
12.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2650
2925
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB Comparações de RAM
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Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
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