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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
33
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
14.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
33
Velocidade de leitura, GB/s
14.8
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
13.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2650
2987
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-PB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
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