RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Comparar
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Pontuação geral
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
71
Por volta de 62% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
6.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
14.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
71
Velocidade de leitura, GB/s
14.8
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
6.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2650
1650
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-PB 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link