RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Comparar
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
41
Por volta de -37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
30
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.1
12.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1484
3044
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link