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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Comparar
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
49
Por volta de 16% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.3
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
49
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.1
12.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1484
2801
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
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