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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
41
Por volta de -46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.1
10.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1484
2354
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Comparações de RAM
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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