RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Comparar
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
42
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
34
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
12.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2535
2584
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link