RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Comparar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Pontuação geral
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
44
Por volta de -22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
36
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1977
3035
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link