RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Comparar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
70
Por volta de 37% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
70
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
8.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1977
1838
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Inmos + 256MB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link