RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Comparar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
44
Por volta de -110% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
21
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
14.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1977
3062
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMSO4GX3M1A1600C11 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link